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J-GLOBAL ID：201002072518450585   整理番号：79A0202192

スイッチ負荷抵抗メモリセルを用いた6ns4KbバイポーラRAM

A 6ns 4Kb bipolar RAM using switched load resistor memory cell.
著者 (5件)：
INADACHI M

INADACHI M について

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HOMMA N

HOMMA N について

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YAMAGUCHI K

YAMAGUCHI K について

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IKEDA T

IKEDA T について

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HIGUCHI H

HIGUCHI H について


資料名：
Dig Tech Pap Int Solid-State Circuits Conf  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)

Dig Tech Pap Int Solid-State Circuits Conf について


巻： 22  ページ： 108-109  発行年： 1979年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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スイッチ負荷抵抗メモリセルとワード線ドライバを用いて,4Kビ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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集積回路メモリ

集積回路メモリ について

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タイトルに関連する用語 (4件)：
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負荷抵抗

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メモリセル

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バイポーラ

バイポーラ について

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RAM

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