文献

J-GLOBAL ID：201002072584743615   整理番号：78A0001246

La_1-xPr_xSn₃化合物における励起結晶場レベルからのKondo効果:電気抵抗

Kondo effect from excited crystal-field levels in La_1-xPr_xSn₃ compounds: Electrical resistivity.

著者 (4件)： BORCHI E ,  De GENNARO S ,  PELOSI G ,  RETTORI A
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 16  号： 3  ページ： 1146-1152  発行年： 1977年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： La_1-xPr_x...

シソーラス用語： Kondo効果 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=78A0001246&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

タイトルに関連する用語 (4件)： 励起 ,  結晶場 ,  Kondo効果 ,  電気抵抗