文献
J-GLOBAL ID:201002072831448869 整理番号:79A0104166
Si中のP拡散への酸化の効果
The effect of oxidation on the diffusion of phosphorus in silicon.
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DOBSON P S
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資料名:
J Appl Phys (Journal of Applied Physics)
J Appl Phys について
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巻:
50
号:
1
ページ:
280-284
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)
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厚いエピタキシャル層からシリコン基板へのPの拡散を広がり抵抗...
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