文献
J-GLOBAL ID:201002073579688556   整理番号:78A0001201

GaAs1-xPx中の窒素等電子トラップ II 低温におけるNΓおよびNX電子状態のモデル計算

Nitrogen isoelectronic trap in GaAs1-xPx. II. Model calculation of the electronic states NΓ and NX at low temperature.
著者 (4件):
資料名:
巻: 16  号:ページ: 1597-1615  発行年: 1977年 
JST資料番号: D0746A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
GaAs<sub>1-x</sub>P<sub>x</sub...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=78A0001201&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る