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J-GLOBAL ID：201002073797416681   整理番号：79A0235944

メタルオルガニックな化学的蒸着によって成長したGa1-XAlXAs-GaAsヘテロ構造レーザの組合せと特性

Preparation and properties of Ga1-xAlxAs-GaAs heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition.
著者 (2件)：
DUPUIS R D

DUPUIS R D について

, 
DAPKUS P D

DAPKUS P D について


資料名：
IEEE J Quantum Electron  (IEEE Journal of Quantum Electronics)

IEEE J Quantum Electron について


巻： 15  号： 3  ページ： 128-135  発行年： 1979年 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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標記2重構造のレーザ特性に関する従来の研究をとりまとめ,招待...
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ヘテロ接合

ヘテロ接合 について

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ヘテロ構造

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レーザ

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