文献

J-GLOBAL ID：201002074351576207   整理番号：78A0062015

陽子分離した(GaAl)As DHレーザの低しきい値電流

Low threshold current proton isolated (GaAl) As DH lasers.

著者 (4件)： STEVENTON A G ,  FIDDYMENT P ,  NEWMAN D H ,  TINKLER J M
資料名： NTG Fachber  (Nachrichtentechnische Fachberichte)
巻： 59  ページ： 126-128  発行年： 1977年 
JST資料番号： E0417A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 簡単な構造を用いることで,しきい値電流を小さくするアプローチ...

シソーラス用語： 半導体レーザ ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=78A0062015&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0417A") }}

タイトルに関連する用語 (3件)： 陽子 ,  DHレーザ ,  しきい値電流