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J-GLOBAL ID：201002074381561760   整理番号：78A0187007

プラズマ成長酸化膜ゲートを用いた深いデプリーション形GaAs MOSFET

Plasma-grown oxide gate GaAs deep depletion MOS FET.
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MIMURA T

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YOKOYAMA N

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NAKAYAMA Y

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FUKUTA M

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資料名：
Proc Conf Solid State Devices  (Proceedings of the Conference on Solid State Devices)

Proc Conf Solid State Devices について


巻： 1977  号： 9th  ページ： 153-157  発行年： 1977年 
JST資料番号： S0652A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
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新しいすぐれた低温プラズマ酸化技術を用いて,GaAs MOS...
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MOSFET

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