文献
J-GLOBAL ID:201002074531827356
整理番号:79A0339558
Ge,Si,GaAsのリーチスルー形アバランシェフォトダイオード(RAPD)の温度依存特性
Temperature-dependent characteristics of a reach-through avalanche photodiode (RAPD) in Ge, Si and GaAs.
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