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J-GLOBAL ID：201002075500811911   整理番号：77A0253673

微細寸法のAlゲート技術を用いた1トランジスタ・セルに対する新しい回路構成

A new circuit configuration for a single-transistor cell using Al-gate technology with reduced dimensions.

著者 (1件)： MEUSBURGER G
資料名： IEEE J Solid-State Circuit  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 12  号： 3  ページ： 253-257  発行年： 1977年 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい回路構成で,2.5μ線幅のAlゲート技術を用いた1トラ...

シソーラス用語： トランジスタ ,...

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タイトルに関連する用語 (6件)： 微細 ,  Al ,  ゲート ,  トランジスタ ,  セル ,  回路構成