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J-GLOBAL ID：201002075642012471   整理番号：77A0326403

GaP-GaAsヘテロ接合による金属-絶縁体-半導体構造の光データ処理への使用の可能性

Possible use of metal-insulator-semiconductor structures with GaP-GaAs heterojunctions in optical data processing.
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著者 (4件)：
PLOTNIKOV A F

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SELEZNEV V N

SELEZNEV V N について

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TOKARCHUK D N

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FERCHEV G P

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資料名：
Sov J Quantum Electron  (Soviet Journal of Quantum Electronics)

Sov J Quantum Electron について


巻： 7  号： 3  ページ： 382-384  発行年： 1977年 
JST資料番号： D0044C  ISSN： 0049-1748  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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りん化ガリウム

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GAP

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GaAs

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ヘテロ接合

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金属-絶縁体-半導体構造

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光データ処理

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