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J-GLOBAL ID：201002075928837575   整理番号：77A0260287

シリコン中の正の二重空格子点の超微細相互作用の拡張したHueckel理論の計算

Extended-Hueckel-theory calculation of hyperfine interactions of the positive divacancy in silicon.
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著者 (2件)：
AMMERLAAN C A J

AMMERLAAN C A J について

, 
WEIGEL C

WEIGEL C について


資料名：
Int Conf Radiat Eff Semicond  (Radiation Effects in Semiconductors)

Int Conf Radiat Eff Semicond について


ページ： 448-457  発行年： 1977年 
JST資料番号： K19760127  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
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拡張したHueckel理論を用いて,LCAO-MO波動関数を...
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けい素

けい素 について

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シリコン

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空格子点

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超微細相互作用

超微細相互作用 について

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拡張

拡張 について

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理論

理論 について

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計算

計算 について


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