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J-GLOBAL ID：201002075977997901   整理番号：77A0253667

SiゲートMOS-バイポーラの両立技術による低入力容量の電圧フォロワ

A low input capacitance voltage follower in a compatible silicon-gate MOS-bipolar technology.
著者 (3件)：
De MAN H J

De MAN H J について

, 
VANPARYS R A

VANPARYS R A について

, 
CUPPENS R

CUPPENS R について


資料名：
IEEE J Solid-State Circuit  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)

IEEE J Solid-State Circuit について


巻： 12  号： 3  ページ： 217-224  発行年： 1977年 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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コンパチブルSiゲートp-MOS-バイポーラ技術を用いて,入...
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半導体集積回路

半導体集積回路 について

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