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J-GLOBAL ID：201002077087292822   整理番号：79A0036847

DCスパッタリング法によるGe薄膜の電気的特性

著者 (2件)： 宇佐美興一 (電通大) ,  山中そうの助 (電通大)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 48  号： 1  ページ： 30-35  発行年： 1979年 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 二重陰極スパッタリング装置にゲッタスパッタ室を設け,スパッタ...

シソーラス用語： 直流 ,...

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引用文献 (12件)：

• 1) 中村信夫ほか:第23回応用物理学関係連合講演会予稿集 (1975) 22a-M-2~5.
• 2) 浜川圭弘:応用物理, 44 (1975) 713.
• 3) 後藤俊成,山中惣之助:応用物理, 40 (1971) 269.
• 4) 仁田 勇:X線結晶学(下)(丸善書店, 1961) p. 505.
• 5) Y. Sakai and K. Takahashi: Jpn. J. Appl. Phys., 2 (1963) 629.

タイトルに関連する用語 (4件)： DCスパッタリング ,  Ge ,  薄膜 ,  電気的特性