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J-GLOBAL ID：201002079419763991   整理番号：78A0268140

III-V半導体の(110)へき開面の表面準位の原因とその電子的性質

Surface states origin and electronic properties of cleaved (110) surfaces of III-V semiconductors.
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著者 (3件)：
GUICHAR G M

GUICHAR G M について

, 
SE ́BENNE C A

SE ́BENNE C A について

, 
THUAULT C

THUAULT C について


資料名：
Int Vac Congr  (Proceedings. International Vacuum Congress 7th 770912 Vol.1-3)

Int Vac Congr について


巻： 7th  号： 1  ページ： 623-626  発行年： 1977年 
JST資料番号： K19770176  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： オーストリア (AUT)  言語： 英語 (EN)
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光電子放出分光を用いて,超高真空中でへき開したGaAs(11...
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ひ化ガリウム

ひ化ガリウム について

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III-V半導体

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へき開面

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表面準位

表面準位 について

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原因

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電子

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性質

性質 について


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