故意に汚染したシリコンp<sup>+</sup>n接合での析出誘起電流と電子正子対発成-再結合電流

BUSTA H H; WAGGENER H A

文献

J-GLOBAL ID：201002080039113941 整理番号：77A0383965

故意に汚染したシリコンp⁺n接合での析出誘起電流と電子正子対発成-再結合電流

Precipitation-induced currents and generation-recombination currents in intentionally contaminated silicon P⁺N junctions.

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巻： 124 号： 9 ページ： 1424-1429 発行年： 1977年
JST資料番号： C0285A ISSN： 0013-4651 CODEN： JESOA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

接合の逆方向I-V特性に対するAu,Fe,Cu,Ni,Taと...

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故意に汚染したシリコンp+n接合での析出誘起電流と電子正子対発成-再結合電流

故意に汚染したシリコンp⁺n接合での析出誘起電流と電子正子対発成-再結合電流