文献
J-GLOBAL ID：201002080151253659   整理番号：77A0260254

電子照射後多重にりんをドープしたシリコン中の新しい欠陥の電子常磁性共鳴

Electron paramagnetic resonance of new defects in heavily phosphorus-doped silicon after electron irradiation.
  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=77A0260254&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K19760127") }}
著者 (2件)：
SIEVERTS E G

SIEVERTS E G について

, 
AMMERLAAN C A J

AMMERLAAN C A J について


資料名：
Int Conf Radiat Eff Semicond  (Radiation Effects in Semiconductors)

Int Conf Radiat Eff Semicond について


ページ： 213-220  発行年： 1977年 
JST資料番号： K19760127  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
室温で,1.5MeVの電子を照射した多量にりんをドープしたシ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
電子照射

電子照射 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=77A0260254&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K19760127") }}
タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
電子照射

電子照射 について

, 
多重

多重 について

, 
りん

りん について

, 
ドープ

ドープ について

, 
シリコン

シリコン について

, 
欠陥

欠陥 について

, 
電子常磁性共鳴

電子常磁性共鳴 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM