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J-GLOBAL ID：201002081446722614   整理番号：78A0260813

SiOx薄膜基板の作製条件によるアモルファスSb薄膜の結晶化厚さdcの変化

Change in crystallization thickness dc of amorphous Sb film due to preparation condition of Si Ox film substrate.
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MAKI K

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SHIGETA Y

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ICHINO N

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資料名：
Int Vac Congr  (Proceedings. International Vacuum Congress 7th 770912 Vol.1-3)

Int Vac Congr について


巻： 7th  号： 3  ページ： 2197-2200  発行年： 1977年 
JST資料番号： K19770176  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： オーストリア (AUT)  言語： 英語 (EN)
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NaClの(001)面に400〜500ÅのSiO<sub>x...
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