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J-GLOBAL ID：201002081735496037   整理番号：79A0024355

ZnTeショットキー・ダイオードの障壁特性とZnTeのオーム性接触

著者 (3件)： 佐治学 (名古屋工大) ,  松本邦夫 (名古屋工大) ,  藤本博 (大同大工)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 98  号： 11  ページ： 549-556  発行年： 1978年 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ZnTeのオーム性接触を系統的に再現性よく得る手段の開発のた...

シソーラス用語： Schottky障壁ダイオード ,...

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引用文献 (13件)：

• (1) A. G. Milnes & D. L. Feucht: Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions, p. 304(1972) Academic Press
• (2) F. A. Kroger & K. DeNobel: U. S. Patent 2865(1958)
• (3) M. Aven & B. Segall: Phys. Rev. 130,81 (1963)
• (4) M. G. Miksic, et al.: Phys. Lett 11,202(1964)
• (5) N. Watanabe, S. Usui & Y. Kanai: Japan J. Appl. Phys. 3,427(1964)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnTe ,  ショット ,  キー ,  ダイオード ,  障壁 ,  オーム性接触