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J-GLOBAL ID：201002082585764816   整理番号：79A0208386

分子ビームエピタクシー過程の構造解析 GaAsへの適用

Analyse structurale du proc<span style=text-decoration:overline>e ́</span>d<span style=text-decoration:overline>e ́</span> d’<span style=text-decoration:overline>e ́</span>pitaxie par jets mol<span style=text-decoration:overline>e ́</span>culaires. Application a l’ars<span style=text-decoration:overline>e ́</span>niure de gallium.
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著者 (3件)：
BLANCHET R

BLANCHET R について

, 
DELHOMME B

DELHOMME B について

, 
URGELL J J

URGELL J J について


資料名：
Onde Electr  (Onde Electrique)

Onde Electr について


巻： 59  号： 4  ページ： 83-92  発行年： 1979年 
JST資料番号： D0247A  ISSN： 0030-2430  CODEN： ONELA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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分子ビームエピタクシーにおける蒸発源はBNルツボをTaフィラ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ひ化ガリウム

ひ化ガリウム について

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タイトルに関連する用語 (4件)：
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分子ビームエピタクシー

分子ビームエピタクシー について

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過程

過程 について

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構造解析

構造解析 について

, 
GaAs

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