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J-GLOBAL ID：201002082826241330   整理番号：78A0161285

Czochralski法により成長させたシリコンにおける半径方向微細偏析の定量解析

Quantitative analysis of radial microsegregation in silicon grown by the Czochralski method.
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著者 (3件)：
MURGAI A

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, 
GATOS H C

GATOS H C について

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WITT A F

WITT A F について


資料名：
Int Symp Silicon Mater Sci Technol  (Semiconductor Silicon 1977)

Int Symp Silicon Mater Sci Technol について


巻： 3rd  ページ： 72-82  発行年： 1977年 
JST資料番号： K19770136  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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成長界面で熱対流条件をもつ,メルトから成長させたSbドープシ...
シソーラス用語：
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けい素

けい素 について

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タイトルに関連する用語 (6件)：
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Czochralski法

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成長

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シリコン

シリコン について

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半径方向

半径方向 について

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微細偏析

微細偏析 について

, 
定量解析

定量解析 について


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