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J-GLOBAL ID：201002083582194284   整理番号：80A0376163

負の磁気抵抗の理論 I 高濃度ドープした半導体への適用

Theory of negative magnetoresistance. I. Application to heavily doped semiconductors.

著者 (1件)： KAWABATA A (Gakushuin Univ., Tokyo)
資料名： J Phys Soc Jpn  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 49  号： 2  ページ： 628-637  発行年： 1980年 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近著者の提案した表題の理論を詳細に記述。n型GaAsの実験...

シソーラス用語： 磁気抵抗効果 ,...

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引用文献 (25件)：

• H. Fritzsche and K. Lark-Horovitz: Phys. Rev. 99 (1955) 400.
• O. V. Emeli’anenko and D. N. Nasledov: Zh. Tekh. Fiz. 28 (1958) 117 (Sov. Phys.-Tech. Phys. 3 (1959) 1094).
• Y. Furukawa: J. Phys. Soc. Jpn. 17 (1962) 630.
• H. Roth, W. D. Straub, W. Bernard and J. E. Mulhern, Jr.: Phys. Rev. Lett. 11 (1963) 328.
• J. F. Woods and C. Y. Chen: Phys. Rev. 135 (1964) A1462.

タイトルに関連する用語 (4件)： 負の磁気抵抗 ,  理論 ,  高濃度 ,  ドープ