レーザ焼なましした半導体の周期的表面構造の起源

MARACAS G N; HARRIS G L; LEE C A; McFARLANE R A

文献

J-GLOBAL ID：201002084220542612 整理番号：78A0322207

レーザ焼なましした半導体の周期的表面構造の起源

On the origin of periodic surface structure of laser-annealed semiconductors.

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著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 33 号： 5 ページ： 453-455 発行年： 1978年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

レーザ照射されたGaAsで誘起された表面周期性の現象はレーザ...

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