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J-GLOBAL ID：201002084568886366   整理番号：78A0140719

CMOSにおけるラッチアップからの破壊の特性

Characteristics of destruction from latchup in CMOS.
著者 (2件)：
COPPAGE F N

COPPAGE F N について

, 
EVANS D C

EVANS D C について


資料名：
IEEE Trans Nucl Sci  (IRE Transactions on Nuclear Science)

IEEE Trans Nucl Sci について


巻： 24  号： 6  ページ： 2226-2229  発行年： 1977年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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CMOS小規模ICは電離放射線の高線量率にさらされるとラッチ...
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MOS集積回路

MOS集積回路 について

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