多結晶シリコンへのひ素イオン注入とシリコン基板への拡散

TSUKAMOTO K; AKASAKA Y; HORIE K

文献

J-GLOBAL ID：201002084693821985 整理番号：77A0242270

多結晶シリコンへのひ素イオン注入とシリコン基板への拡散

Arsenic implantation into polycrystalline silicon and diffusion to silicon substrate.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=77A0242270&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=77A0242270&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 48 号： 5 ページ： 1815-1821 発行年： 1977年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

多結晶シリコンへのひ素イオン注入とシリコン基板へのドライブイ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=77A0242270&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

, , , ,

前のページに戻る