文献
J-GLOBAL ID:201002085135548144   整理番号:79A0124444

半導体ヘテロ接合の理論における2バンドの狭いギャップ近似

On the two-band narrow-gap approximation in the theory of semiconductor heterojunctions.
著者 (2件):
資料名:
巻: 11  号: 23  ページ: L919-L922  発行年: 1978年 
JST資料番号: B0914A  ISSN: 0022-3719  CODEN: JPCPA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
伝導帯不連続の消失に伴なう半導体ヘテロ接合の界面状態の存在を...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=79A0124444&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0914A") }}
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る