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J-GLOBAL ID：201002087655157787   整理番号：79A0259862

VLSI素子の大量生産に対する電子ビーム露光の最近の進歩

Recent advances in electron-beam lithography for the high-volume production of VLSI devices.
著者 (1件)：
PFEIFFER H C

PFEIFFER H C について


資料名：
IEEE Trans Electron Devices  (IRE Transactions on Electron Devices)

IEEE Trans Electron Devices について


巻： 26  号： 4  ページ： 663-674  発行年： 1979年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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