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J-GLOBAL ID：201002088353161706   整理番号：80A0004940

引上げ法シリコン中の酸素の析出機構

著者 (3件)： 井上直久 (電電公社武蔵野電通研) ,  大坂次郎 (電電公社武蔵野電通研) ,  和田一実 (電電公社武蔵野電通研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 48  号： 12  ページ： 1126-1141  発行年： 1979年 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： けい素 ,...

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引用文献 (64件)：

• 1) H. J. Hrostowski and R. H. Kaiser: J. Phys. & Chem. Solids 9 (1959) 214.
• 2) K. Tempelhoff et al.: Semiconductor Silicon 1977 (The Electrochemical Society, Princeton, N. J., 1977) p. 585.
• 3) G. R. Booker and W. J. Tunstall: Philos. Mag. 13 (1966) 71.
• 4) H. Takaoka, J. Osaka and N. Inoue: Jpn. J. Appl. Phys. (1979) Suppl. 18-1,p. 179.
• 5) C. J. Varker and K. V. Ravi: J. Appl. Phys. 45 (1974) 272.

タイトルに関連する用語 (4件)： 引上げ法 ,  シリコン ,  酸素 ,  析出