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J-GLOBAL ID：201002090242301430 整理番号：78A0140684
CMOS技術の耐放射線性-概観
Radiation hardening of CMOS technologies - An overview.
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=78A0140684©=1") }}
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著者 (1件)：
BORKAN H
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資料名：
IEEE Trans Nucl Sci (IRE Transactions on Nuclear Science)
IEEE Trans Nucl Sci について
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巻：
24
号：
6
ページ：
2043-2046
発行年：
1977年
JST資料番号：
C0235A
ISSN：
0018-9499
CODEN：
IETNA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
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