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J-GLOBAL ID：201002091206117395   整理番号：79A0257879

Ni-n GaP構造のV-I特性におよぼすGaP結晶へのシリコンとゲルマニウムの添加の影響

Влияние легирования кристаллов фосфида галлия кремнием и германием на ВАХ структур Ni-n-GaP.

著者 (4件)： ИВАЩЕНКО А И ,  САМОРУКОВ Б Е ,  СЛОБОДЧИКОВ С В ,  СОЛОМОНОВ А И
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 13  号： 4  ページ： 770-773  発行年： 1979年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 0から0.1%のGeを添加したn型Ge結晶で作ったNi-Ga...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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タイトルに関連する用語 (5件)： Ni ,  GAP ,  結晶 ,  シリコン ,  ゲルマニウム