ひ素を打込んだ〈100〉シリコンの2段階焼鈍しのTEMによる研究

ALESSANDRINI E I; CHU W K; POPONIAK M R

文献

J-GLOBAL ID：201002091441926829 整理番号：79A0345784

ひ素を打込んだ〈100〉シリコンの2段階焼鈍しのTEMによる研究

TEM study of the two-step annealing of arsenic-implanted <100> silicon.

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資料名：
巻： 16 号： 2 ページ： 342-344 発行年： 1979年
JST資料番号： C0789A ISSN： 0022-5355 CODEN： JVSTA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

窒素ふん囲気中で1時間一定温度(500〜600°C)で焼鈍し...

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