変調ドープした半導体ヘテロ接合超格子における電子移動度

DINGLE R; STOERMER H L; GOSSARD A C; WIEGMANN W

文献

J-GLOBAL ID：201002091765150750 整理番号：79A0035381

変調ドープした半導体ヘテロ接合超格子における電子移動度

Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices.

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資料名：
巻： 33 号： 7 ページ： 665-667 発行年： 1978年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs-Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x<...

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