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J-GLOBAL ID：201002091771242209   整理番号：78A0305242

イオン注入で製作した中出力GaAsFET

Medium power GaAs FET by ion implantation.
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著者 (4件)：
LADD G O

LADD G O について

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KRUMM C F

KRUMM C F について

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GRAY W W

GRAY W W について

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KEITHLEY G W

KEITHLEY G W について


資料名：
Proc Bienn Cornell Electr Eng Conf  (Proceedings. Biennial Cornell Electrical Engineering Conference)

Proc Bienn Cornell Electr Eng Conf について


巻： 6  ページ： 289-295  発行年： 1977年 
JST資料番号： D0743A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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能動チャネルの製作に再現性の良いイオン注入法を用いて,12G...
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ひ化ガリウム

ひ化ガリウム について

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製作

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