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J-GLOBAL ID：201002094195099542   整理番号：80A0063925

オージェ電子分光と低速電子損失分光によるシリコン(111)表面の酸化膜形成の研究

Oxide formation on the silicon (111) surface studied by auger electron spectroscopy and by low energy electron loss spectroscopy.

著者 (2件)： LIESKE N (Univ. Erlangen-Nuernberg, F.R.G.) ,  HEZEL R (Univ. Erlangen-Nuernberg, F.R.G.)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 61  号： 2  ページ： 197-202  発行年： 1979年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  CODEN： THSFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(111)表面の価電子の局在分子状態が酸化に伴い変化...

シソーラス用語： 単結晶 ,...

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タイトルに関連する用語 (8件)： オージェ電子分光 ,  低速 ,  電子 ,  損失 ,  分光 ,  シリコン ,  酸化膜 ,  研究