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J-GLOBAL ID：201002094215063752   整理番号：79A0171512

X線光電子分光法によるステアリン酸コバルト単分子膜中の電子の脱出深さの測定

著者 (3件)： 水野積成 (名古屋大工) ,  森千鶴夫 (名古屋大工) ,  渡辺たまき (名古屋大工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 48  号： 6  ページ： 532-538  発行年： 1979年 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Blodgett法で基板に付着した標記単分子膜の電子脱出深さ...

シソーラス用語： X線光電子スペクトル ,...

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引用文献 (15件)：

• 1) C. C. Chang: Surf. Sci. 48 (1975) 9.
• 2) F. Pons, J. Le Héricy and J. P. Langeron: Surf. Sci. 69 (1977) 565.
• 3) C. S. Fadley, R. J. Baird, W. Siekhause, T. Novakov and S. A. L. Bergstorm: J. Electron Spectrosc. 4 (1974) 93.
• 4) C. J. Powell: Surf. Sci. 44 (1974) 29.
• 5) C. R. Brundle: J. Vac. Sci. & Technol. 11 (1974) 212.

タイトルに関連する用語 (4件)： X線光電子分光法 ,  ステアリン酸コバルト ,  単分子膜 ,  電子