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J-GLOBAL ID：201002095096672830   整理番号：79A0194408

単結晶シリコン上に生成した銅薄膜のイオンに誘導された変化のHe⁺後方散乱とオージェ電子分光による研究

He⁺ backscattering and Auger electron spectroscopy study of the ion-induced modification of copper films deposited on single-crystal silicon.

著者 (3件)： BAERI P ,  LUZZI G ,  PAPAGNO L
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 56  号： 3  ページ： 349-356  発行年： 1979年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  CODEN： THSFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅薄膜のArイオンによるスパッタリング効率を,3〜12keV...

シソーラス用語： 銅 ,...

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タイトルに関連する用語 (7件)： 単結晶シリコン ,  銅薄膜 ,  イオン ,  誘導 ,  後方散乱 ,  オージェ電子分光 ,  研究