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J-GLOBAL ID：201002097169551762 整理番号：77A0303196
SiへのP拡散の場合のE中心解離による過剰空格子点の発生
Excess vacancy generation by E-center dissociation in the case of phosphorus diffusion in silicon.
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=77A0303196©=1") }}
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YOSHIDA M
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資料名：
J Appl Phys (Journal of Applied Physics)
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巻：
48
号：
6
ページ：
2169-2174
発行年：
1977年
JST資料番号：
C0266A
ISSN：
0021-8979
CODEN：
JAPIA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
言語：
英語 (EN)
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