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J-GLOBAL ID：201002097670987996   整理番号：77A0309592

III-V化合物上のnチャネル反転層のサブバンド構造-ゲートで制御するGunn効果の可能性-

Subband structures of N-channel inversion layers on III-V compounds. A possibility of the gate controlled Gunn effect.

著者 (2件)： TAKADA Y ,  UEMURA Y
資料名： J Phys Soc Jpn  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 43  号： 1  ページ： 139-150  発行年： 1977年 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型III-V化合物の表面にあるnチャネル反転層の多重サブバ...

シソーラス用語： MOS構造 ,...
準シソーラス用語： 反転層

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引用文献 (23件)：

• F. Stern: CRC Critical Rev. in Solid State Sci. 5 (1974)499.
• G. Dorda: Festkorperprobleme (Advances in Solid State Physics), ed. H. J. Queisser (Pergamon Vieweg, 1973) Vol. 13, p. 215.
• Y. Uemura: Proc. 2nd ICSS, Japan. J. appl. Phys. Suppl. 2, Part 2 (1974) 17.
• G. Landwehr: Festkorperprobleme (Advances in Solid State Physics), ed. H. J. Queisser (Pergamon Vieweg, 1975) Vol. 15, p. 49.
• J. F. Koch: Festkorperprobleme (Advances in Solid State Physics), ed. H. J. Queisser (Pergamon Vieweg, 1975) Vol. 15, p. 79.

タイトルに関連する用語 (7件)： V化合物 ,  Nチャネル ,  反転層 ,  サブバンド構造 ,  ゲート ,  Gunn効果 ,  可能性