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J-GLOBAL ID：201002097683217286   整理番号：79A0336445

GeTeにおけるキャリア濃度とGeSeの輸送異方性および金属-半導体転移の可能性

Concentration of carriers in GeTe and the anisotropic transport and a possible metal to semiconductor transition of GeSe.

著者 (3件)： KYRIAKOS D S ,  VALASSIADES O ,  ECONOMOU N A
資料名： Inst Phys Conf Ser  (Institute of Physics Conference Series)
号： 43  ページ： 257-260  発行年： 1979年 
JST資料番号： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSA  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリア濃度の化学定量組成依存性を調べ,過剰TeまたはGeの...

シソーラス用語： 異方性 ,...

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タイトルに関連する用語 (6件)： GeTe ,  キャリア濃度 ,  輸送 ,  異方性 ,  金属-半導体転移 ,  可能性