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J-GLOBAL ID：201002099640566719   整理番号：79A0145813

GaAsの共通の深い準位の強い異方性を示す電界イオン化

Strongly anisotropic field ionization of a common deep level in GaAs.
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著者 (2件)：
MIRCEA A

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, 
MITONNEAU A

MITONNEAU A について


資料名：
J Phys Lett  (Journal de Physique Lettres)

J Phys Lett について


巻： 40  号： 2  ページ： L31-L33  発行年： 1979年 
JST資料番号： C0908A  ISSN： 0302-072X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： フランス (FRA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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GaAsの深い準位(EL2欠陥)に関し,内部電界効果の強い異...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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電界イオン化

電界イオン化 について

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GaAs

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深い準位

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異方性

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電界イオン化

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