文献
J-GLOBAL ID：201002099745420590 整理番号：75A0167695
臨界電圧法により決定されたSiの111および222構造因子間の関係
Relation between the 111 and 222 structure factors of Si determined by the critical voltage method.
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資料名：
Jap J Appl Phys (Japanese Journal of Applied Physics)
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巻：
14
号：
1
ページ：
135-136
発行年：
1975年
JST資料番号：
G0520A
CODEN：
JJAPA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
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臨界電圧E
c
を測定し,2つの構造因子間...
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