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J-GLOBAL ID：201002150182557808   整理番号：10A1425633

GaP(111)とInP(111)基板上のウルツInNのエピタキシャル成長のための基板表面窒化の抑制の意味

Significance of the suppression of substrate surface nitridation for epitaxial growth of wurtzite InN on GaP(111) and InP(111) substrates

著者 (4件)： BHUIYAN Ag ,  YAMAMOTO A ,  HASHIMOTO A ,  ISHIGAMI R
資料名： PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS
ページ： 343-346  発行年： 2000年 
JST資料番号： I20000750  ISBN： 4-900526-13-4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： GAP ,  InP ,  InN ,  エピタキシャル成長 ,  基板表面 ,  窒化 ,  意味