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J-GLOBAL ID：201002154966452714   整理番号：10A1490357

高温急速熱アニーリングを用いるn-型インプラント4H-SiCの電気的性質の改良

Improvements in electrical properties of n-type-implanted 4H-SiC substrates using high-temperature rapid thermal annealing

著者 (6件)： SENZAKI J ,  HARADA S ,  KOSUGI R ,  SUZUKI S ,  FUKUDA K ,  ARAI K
資料名： SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS
巻： 389-3  ページ： 795-798  発行年： 2002年 
JST資料番号： O6089A  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 急速熱アニーリング ,  型 ,  インプラント ,  4H-SiC ,  電気的性質