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J-GLOBAL ID：201002162767401526   整理番号：10A1470815

AlGaAs/GaAsのp-HEMTのデバイス性能に及ぼす格子欠陥の影響

Impact of lattice defects on device performance of AlGaAs/GaAs p-HEMTs

著者 (8件)： KOBAYASHI K ,  OHYAMA H ,  HAKATA T ,  KUDOU T ,  SHIGAKI K ,  TAKIZAWA H ,  KOHIKI S ,  UWATOKO Y
資料名： BEAM INJECTION ASSESSMENT OF MICROSTRUCTURES IN SEMICONDUCTORS, 2000
巻： 78-79  ページ： 319-324  発行年： 2000年 
JST資料番号： O0810A  ISSN： 1012-0394  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaAs ,  GaAs ,  HEMT ,  格子欠陥