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J-GLOBAL ID：201002200014185951   整理番号：10A0760260

90°Cにおける(0001)GaN上のZnOの水溶液横方向エピタクシー被覆成長:パートI.臨界厚の増加

Aqueous lateral epitaxy overgrowth of ZnO on (0001) GaN at 90°C: Part I. Increasing the critical thickness

著者 (2件)： FILLERY Scott P. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  LANGE Frederick F. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 21  ページ： 6022-6029  発行年： 2010年08月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (0001)GaNでバッファしたAl₂O₃基板上に90°Cで水溶液を使用して厚いエピタキシャルZnO薄膜を成長させた。改善された構造,光学及び電気特性を持つ膜を横方向エピタキシャル成長(LEO)法を使用して成長させた。LEOを実現するために各種フォトレジストマスクを使用した。マスクはリニアウィンドウ及び円形ウィンドウの二つの異なった六角アレイとした。下地のGaN基板とのZnOの格子不整合から予想される大きな圧縮性応力と符合して臨界厚を超える膜は座屈により機械的に破壊した。機械的安定性の向上はLEO法を使用することで達成できることが分かった。LEOを使用しないで4μmより厚い膜を座屈なしに成長させることはできなかった。リニアウィンドウを使用すると臨界厚は10μmまで増加した。一方,円形ウィンドウアレイを一つ使用すると臨界厚50μmを達成でき,第二のアレイを使用すると80μmを達成できた。円形ウィンドウの二つの異なるアレーは基板上で向きの異なるものであった。臨界厚は成長ウィンドウ間の距離を大きくすると増加することが分かった。光透過,マイクロ光ルミネセンス及びHall効果測定により,LEO法は光エレクトロニクス特性を向上させることが分かった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *横方向 ,  *エピタクシー ,  窒化ガリウム ,  基板 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  フォトレジスト ,  *マスク ,  透明導電膜 ,  格子不整合 ,  *光学定数 ,  透過率 ,  光ルミネセンス ,  紫外発光スペクトル ,  *Hall移動度 ,  キャリア密度 ,  N型半導体 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： 臨界膜厚

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (9件)： GaN ,  ZnO ,  水溶液 ,  横方向 ,  エピタクシー ,  被覆成長 ,  パート ,  臨界 ,  厚