文献

J-GLOBAL ID：201002200184937281   整理番号：10A0727693

高電圧GaN-HEMTにおける電流コラプス現象のフィールドプレート構造依存性

Field-Plate Structure Dependence of Current Collapse Phenomena in High-Voltage GaN-HEMTs

著者 (9件)： SAITO Wataru (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KAKIUCHI Yorito (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NITTA Tomohiro (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SAITO Yasunobu (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NODA Takao (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  FUJIMOTO Hidetoshi (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YOSHIOKA Akira (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OHNO Tetsuya (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YAMAGUCHI Masakazu (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 7  ページ： 659-661  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧GaN-HEMTの電流コラプス現象と電界分布の関係を論ずるため,フィールドプレート(FP)構造を異にする4種類のデバイスを作製し,測定を行った。電流コラプス現象による動的オン抵抗の増大は,ソース接続の単一およびデュアルFP構造では大きいが,ゲート接続の2種類のFP構造で劇的に抑圧された。ゲートエッジ電界がゲートFP電極によって低下するためである。特にゲートとソースにそれぞれFPを接続するデュアルFP構造は,FPエッジでの集中も緩和され,ゲート単一FP構造よりもコラプス現象の抑圧に若干効果的であった。以上の結果から,ゲートエッジ電界ピークの最小化がコラプス現象抑圧の最重要設計ポイントである。

シソーラス用語： *HEMT ,  窒化ガリウム ,  高電圧 ,  依存性 ,  電力トランジスタ ,  *電流電圧特性 ,  *電極 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  *フィールドプレート ,  構造依存性 ,  電界分布 ,  *電流コラプス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高電圧 ,  GaN ,  HEMT ,  電流コラプス ,  現象 ,  フィールド ,  構造依存性