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J-GLOBAL ID：201002200550361860   整理番号：10A1060724

SiC(0001)上の低次元カーボンナノ構造の成長の批判的解説: 成長環境の影響

A critical review of growth of low-dimensional carbon nanostructures on SiC (0 0 0 1): impact of growth environment

著者 (3件)： LU Weijie (Fisk Univ., TN, USA) ,  BOECKL John J (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  MITCHEL William C (Air Force Res. Lab., OH, USA)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43  号： 37  ページ： 374004,1-9  発行年： 2010年09月22日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンやカーボンナノチューブ(CNT)構造は多くの電子素子への応用が期待される。SiC上にグラフェンとCNTを成長させる技術を要約し,成長過程に及ぼす機構と因子を概説した。成長環境における残留気体の組成は非常に重要なパラメータであり,成長時に残留気体を監視する必要性を示唆した。特に,SiC表面の黒鉛化過程と界面構造の理解と制御を確立する必要がある。真空及び雰囲気環境を含め,成長状況と成長温度について検討し,分解と成長の機構を論じた。熱分解と化学分解の過程を示した。

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  *グラファイト ,  低次元系 ,  炭化ケイ素 ,  残留ガス ,  黒鉛化 ,  *結晶成長 ,  電子顕微鏡観察 ,  状態図 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 残留気体

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  低次元 ,  カーボン ,  ナノ構造 ,  成長 ,  環境