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J-GLOBAL ID：201002200848552021   整理番号：10A0965877

ZnO被覆基質上のCu(In,Ga)Se₂トップセルを使ったタンデム太陽電池

Tandem solar cells with Cu(In,Ga)S₂ top cells on ZnO coated substrates

著者 (7件)： KAIGAWA R. (Dep. of Electronics and Informatics, Ryukoku Univ., Seta, Otsu 520-2194, JPN) ,  FUNAHASHI K. (Dep. of Electronics and Informatics, Ryukoku Univ., Seta, Otsu 520-2194, JPN) ,  FUJIE R. (Dep. of Electronics and Informatics, Ryukoku Univ., Seta, Otsu 520-2194, JPN) ,  WADA T. (Dep. of Materials Chemistry, Ryukoku Univ., Seta, Otsu 520-2194, JPN) ,  MERDES S. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Inst. for Heterogeneous Material Systems, Glienickerstr.100 ...) ,  CABALLERO R. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Inst. for Technol. , Glienickerstr.100, D14109 Berlin, DEU) ,  KLENK R. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Inst. for Heterogeneous Material Systems, Glienickerstr.100 ...)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 94  号： 11  ページ： 1880-1883  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO:Al/ソーダ石灰ガラス(SLG)およびMo/ZnO:Al/SLG基質上にワイドギャップCu(In,Ga)Se₂吸収体を持つ積層タンデム用の透明トップセルを調製した。総合的透過は吸収体バンドギャップとともに増大した。バンドギャップは1.63,1.72および1.79eVであった。これらのトップセルとCuInSe₂ボトムセルを使った機械的積層タンデム太陽電池の特性を研究した。タンデムセルの短絡電流密度は一般的に,トップセルを通して照射されるボトムセルの短絡電流密度によって制約された。筆者らが得た最良のタンデム効率は4.4%と考えられ,開路電圧は1.08Vであった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  積層構造 ,  セレン化インジウム銅 ,  基質 ,  酸化亜鉛 ,  被覆層 ,  吸収体 ,  バンドギャップ ,  キャラクタリゼーション ,  性能評価
準シソーラス用語： セレン化ガリウム銅 ,  タンデム太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  基質 ,  Cu ,  Ga ,  トップ ,  セル ,  タンデム太陽電池