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J-GLOBAL ID：201002201087327670   整理番号：10A0743883

交換バイアスの室温での強固で安定した等温電気制御

Robust isothermal electric control of exchange bias at room temperature

著者 (8件)： HE Xi (Univ. Nebraska, Nebraska, USA) ,  WANG Yi (Univ. Nebraska, Nebraska, USA) ,  WU Ning (Univ. Nebraska, Nebraska, USA) ,  CARUSO Anthony N. (Univ. Missouri, Kansas, USA) ,  VESCOVO Elio (Brookhaven National Lab., New York, USA) ,  BELASHCHENKO Kirill D. (Univ. Nebraska, Nebraska, USA) ,  DOWBEN Peter A. (Univ. Nebraska, Nebraska, USA) ,  BINEK Christian (Univ. Nebraska, Nebraska, USA)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 9  号： 7  ページ： 579-585  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 情報技術の発展上決定的に重要な電圧制御スピンエレクトロニクス(SE)について,磁電反強磁性体,Cr₂O₃の(0001)表面が自由な強磁性を示し,かつ電気的制御した交換バイアスと磁化に適応することを報告した。サファイア(0001)基板表面にMBE成長したCr₂O₃薄膜をX線回折で調べ,(0001)配向していることを確認した。スピン偏極角度分解光電子スペクトルを測定した。単結晶表面に強磁性体を蒸着した,Cr₂O₃(0001)/Pd0.5nm/(Co0.6nmPd1.0nm)ヘテロ構造を用いて磁気ヒステリシスを測定し,交換バイアス場の等温電気スイッチング及びヒステリシス電場依存性を調べた。また,市販プログラムでCr₂O₃(0001)表面の電子構造を計算した。実験と理論との組合せによって,典型的な磁電反強磁性体であるCr₂O₃が室温での磁気の可逆的電気制御の候補材料として復活できることを示し,研究結果はスピントロニクス用途に大いなる展望を開くものであると結言した。

シソーラス用語： *スピントロニクス ,  *電圧制御 ,  *酸化クロム ,  *反強磁性体 ,  薄膜 ,  MBE成長 ,  優先配向 ,  X線回折分析 ,  光電子スペクトル ,  角度分解分光法 ,  スピン分極 ,  ヘテロ接合 ,  パラジウム ,  磁気ヒステリシス ,  *バイアス ,  計算機シミュレーション ,  電子構造 ,  磁気 ,  *電気制御 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： スピン偏極 ,  *交換バイアス ,  *電圧制御スピンエレクトロニクス

分類 (3件)： 電子工学一般  (NC01000A) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 交換バイアス ,  室温 ,  強固 ,  電気制御