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J-GLOBAL ID：201002201183982980   整理番号：10A0339782

シリコン導波路と集積化したGe₂Sb₂Te₅相変化材料を用いた小型サイズ光ゲートスイッチ

Small-sized optical gate switch using Ge₂Sb₂Te₅ phase-change material integrated with silicon waveguide

著者 (8件)： IKUMA Y. (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  SHOJI Y. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  KUWAHARA M. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  WANG X. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  KINTAKA K. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  KAWASHIMA H. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  TANAKA D. (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  TSUDA H. (Keio Univ., Kanagawa, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 46  号： 5  ページ： 368-369  発行年： 2010年03月04日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能光スイッチは,フォトニックネットワークノード用に必要であり,高速スイッチング速度,高消光比,低損失と低消費電力とともに大規模集積化のため小型化が不可欠である。シリコン(Si)導波路と集積化したGe₂Sb₂Te₅相変化材料(PCM)を用いた,新規の小型サイズ光ゲートスイッチを初めて作製した。結晶質状態とアモルファス状態間の吸収係数の大きい差により,この光ゲートスイッチは超小型化(~2μm)できた。そのスイッチ試作品を作製し,レーザパルス照射により透明オン状態から不透明オフ状態にスイッチングすることに成功した。1525~1600nmの広波長範囲で,12.5dB以上の消光比を得た。

シソーラス用語： ケイ素 ,  *光導波路 ,  *光スイッチ ,  相転移 ,  *光集積回路 ,  ゲルマニウム化合物 ,  アンチモン化合物 ,  テルル化合物 ,  吸収係数 ,  レーザパルス ,  ゲート【半導体】 ,  レーザ照射

分類 (1件)： その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  導波路 ,  集積化 ,  相変化材料 ,  サイズ ,  光ゲート