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J-GLOBAL ID：201002201569362685   整理番号：10A1144456

In_xGa_1-xNおよびMg_xZn_1-xO薄膜の偏光XAFS

著者 (1件)： 宮永崇史 (Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
資料名： KEK Proceedings  (KEK Proceedings)
号： 2009-1  ページ： 18-25  発行年： 2009年05月 
JST資料番号： L1349A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  偏光 ,  *量子井戸 ,  MOCVD ,  EXAFS ,  曲線あてはめ ,  *窒化インジウムガリウム ,  *酸化マグネシウム亜鉛 ,  *局所構造
準シソーラス用語： MOVPE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  偏光 ,  XAFS